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【文/科工力量專欄作者 鐵君】

日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。經(jīng)過(guò)多年的努力，紫光在存儲(chǔ)芯片上的高額投資終于收獲碩果。本次長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)64層NAND，一定程度上緩解了三星、SK海力士、鎂光等公司的壟斷局面，在當(dāng)下的國(guó)際環(huán)境下，格外具有意義。

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)被三星、海力士、東芝、鎂光等大廠壟斷

一直以來(lái)，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)一直被三星、海力士、東芝、鎂光等大廠壟斷，三星、東芝、閃迪、鎂光、SK海力士等國(guó)外巨頭占據(jù)80%以上的市場(chǎng)份額，其中三星是領(lǐng)頭羊，市場(chǎng)份額約38%。在DRAM市場(chǎng)，三星、SK海力士、鎂光占據(jù)了超過(guò)90%的市場(chǎng)份額，其中兩家韓國(guó)企業(yè)三星和SK海力士的市場(chǎng)份額加起來(lái)高達(dá)70%左右。

由于中國(guó)企業(yè)在NAND Flash和DRAM兩種存儲(chǔ)芯片方面的市場(chǎng)占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少數(shù)國(guó)際大廠所壟斷，特別是韓國(guó)企業(yè)擁有非常高的市場(chǎng)份額，這直接導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格很容易受到壟斷企業(yè)決策影響。由于三星公司因Note 7自燃事件遭受了60億美元的損失，隨后，存儲(chǔ)芯片發(fā)生暴漲，進(jìn)而帶動(dòng)固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、以及閃存卡等存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格就開(kāi)始瘋漲，鎂光公司的NAND Flash 64GB MLC 顆粒在幾個(gè)月內(nèi)漲幅超過(guò)25％。

進(jìn)而使華為、小米、OPPO、VIVO等整機(jī)廠商深受其害。

由于當(dāng)下比較特殊的國(guó)際局勢(shì)，NAND Flash高度依賴外商除了會(huì)使國(guó)內(nèi)廠商在NAND價(jià)格上任憑外商擺布，還有可能受到國(guó)際復(fù)雜環(huán)境變化的影響，一旦供應(yīng)被切斷，對(duì)國(guó)內(nèi)IT產(chǎn)業(yè)的打擊是幾乎是毀滅性的。由此看來(lái)華為等巨頭尋找國(guó)產(chǎn)化“備胎”的計(jì)劃尤為重要。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在64層NAND上取得突破，未來(lái)將有效緩解了在NAND上單一依賴進(jìn)口供應(yīng)的局面，但是新供應(yīng)鏈的導(dǎo)入需要時(shí)間，在短期市場(chǎng)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)品仍然無(wú)法大規(guī)模替代進(jìn)口。

海外并購(gòu)接連碰壁 自主研發(fā)取得成功

本次，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在NAND上取得突破，是十多年持續(xù)研發(fā)的成果。早在2006年，武漢就投資100億元啟動(dòng)武漢新芯項(xiàng)目，經(jīng)過(guò)多年的磨礪和成長(zhǎng)，武漢新芯在存儲(chǔ)器領(lǐng)域已經(jīng)有了一定成果。之后合肥、武漢等5座城市爭(zhēng)奪存儲(chǔ)器基地，由于武漢新芯在這方面已經(jīng)有一定基礎(chǔ)，因而最后武漢取得了勝利。隨后，紫光等國(guó)有資本對(duì)武漢大量注資，并在將武漢新芯的基礎(chǔ)上成立組建了長(zhǎng)江存儲(chǔ)。

在研發(fā)路線選擇上，紫光選擇同時(shí)走技術(shù)引進(jìn)和自主研發(fā)路線。