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【文/科工力量專欄作者 鐵君】

日前，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。經(jīng)過多年的努力，紫光在存儲芯片上的高額投資終于收獲碩果。本次長江存儲量產(chǎn)64層NAND，一定程度上緩解了三星、SK海力士、鎂光等公司的壟斷局面，在當(dāng)下的國際環(huán)境下，格外具有意義。

存儲芯片市場被三星、海力士、東芝、鎂光等大廠壟斷

一直以來，存儲芯片市場一直被三星、海力士、東芝、鎂光等大廠壟斷，三星、東芝、閃迪、鎂光、SK海力士等國外巨頭占據(jù)80%以上的市場份額，其中三星是領(lǐng)頭羊，市場份額約38%。在DRAM市場，三星、SK海力士、鎂光占據(jù)了超過90%的市場份額，其中兩家韓國企業(yè)三星和SK海力士的市場份額加起來高達(dá)70%左右。

由于中國企業(yè)在NAND Flash和DRAM兩種存儲芯片方面的市場占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少數(shù)國際大廠所壟斷，特別是韓國企業(yè)擁有非常高的市場份額，這直接導(dǎo)致存儲芯片價格很容易受到壟斷企業(yè)決策影響。由于三星公司因Note 7自燃事件遭受了60億美元的損失，隨后，存儲芯片發(fā)生暴漲，進(jìn)而帶動固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、以及閃存卡等存儲產(chǎn)品的價格就開始瘋漲，鎂光公司的NAND Flash 64GB MLC 顆粒在幾個月內(nèi)漲幅超過25％。

進(jìn)而使華為、小米、OPPO、VIVO等整機(jī)廠商深受其害。

由于當(dāng)下比較特殊的國際局勢，NAND Flash高度依賴外商除了會使國內(nèi)廠商在NAND價格上任憑外商擺布，還有可能受到國際復(fù)雜環(huán)境變化的影響，一旦供應(yīng)被切斷，對國內(nèi)IT產(chǎn)業(yè)的打擊是幾乎是毀滅性的。由此看來華為等巨頭尋找國產(chǎn)化“備胎”的計(jì)劃尤為重要。長江存儲在64層NAND上取得突破，未來將有效緩解了在NAND上單一依賴進(jìn)口供應(yīng)的局面，但是新供應(yīng)鏈的導(dǎo)入需要時間，在短期市場上，長江存儲的產(chǎn)品仍然無法大規(guī)模替代進(jìn)口。

海外并購接連碰壁 自主研發(fā)取得成功

本次，長江存儲在NAND上取得突破，是十多年持續(xù)研發(fā)的成果。早在2006年，武漢就投資100億元啟動武漢新芯項(xiàng)目，經(jīng)過多年的磨礪和成長，武漢新芯在存儲器領(lǐng)域已經(jīng)有了一定成果。之后合肥、武漢等5座城市爭奪存儲器基地，由于武漢新芯在這方面已經(jīng)有一定基礎(chǔ)，因而最后武漢取得了勝利。隨后，紫光等國有資本對武漢大量注資，并在將武漢新芯的基礎(chǔ)上成立組建了長江存儲。

在研發(fā)路線選擇上，紫光選擇同時走技術(shù)引進(jìn)和自主研發(fā)路線。