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三星計(jì)劃在9月4日展示3nm GAA工藝最新進(jìn)展
關(guān)鍵字: 三星光刻膠導(dǎo)讀三星自信會在3nm節(jié)點(diǎn)上領(lǐng)先其他對手,最快在2021年量產(chǎn)3nm GAA工藝。轉(zhuǎn)自天極網(wǎng)
日本在6月4日宣布,管制對韓國出口光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫三種用于半導(dǎo)體制造的原材料,讓韓國面板、半導(dǎo)體兩大支柱行業(yè)面臨危機(jī)。日本管制的三種主要材料中,用戶制造光科技光源的氟化氫影響最大,對三星晶圓代工、存儲芯片生產(chǎn)都有致命影響,甚至出現(xiàn)了三星因得不到供應(yīng)停止研發(fā)7nm EUV工藝的開發(fā)。
三星似乎有意證明,他們有能力原材料限制的困境。雖然韓媒有消息稱,三星將取消9月4日在日本舉行的“三星晶圓代工論壇”活動,但三星方面明確表示該活動將如期進(jìn)行。
三星最近幾年,每年都會舉行多場“三星晶圓代工論壇”(SFF),9月4日在日本舉行專場的重點(diǎn)是三星正在開發(fā)的3nm GAA環(huán)繞柵極工藝。這種工藝將會應(yīng)用于3nm節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品中,是5nm節(jié)點(diǎn)后又一重要節(jié)點(diǎn)。
三星3nm工藝將會基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu),通過使用納米片設(shè)備制造出MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應(yīng)管),顯著增強(qiáng)晶體管性能,取代FinFET成為晶體管技術(shù)。而且MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備,從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。
三星是目前唯一一家公布具體3nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)路線的公司;英特爾現(xiàn)在只提到7nm工藝,5nm何時上馬尚未定論,更別說3nm工藝;臺積電雖然計(jì)劃投資250億美元建設(shè)3nm晶圓廠,但臺積電同樣沒有公布3nm工藝的技術(shù)路線,是否使用全新設(shè)計(jì)的晶體管也無從知曉。
三星自信會在3nm節(jié)點(diǎn)上領(lǐng)先其他對手,最快在2021年量產(chǎn)3nm GAA工藝。
- 原標(biāo)題:三星計(jì)劃在9月4日展示3nm GAA工藝最新進(jìn)展
- 責(zé)任編輯:張建鑫
- 最后更新: 2019-07-31 10:02:16
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