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臺(tái)積電罕見為3nm舉行量產(chǎn)典禮,但想說(shuō)服客戶下單并不容易
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呂棟lvdong@guancha.cn
最后更新: 2022-12-29 17:01:04【文/觀察者網(wǎng) 呂棟】
比三星晚了半年,全球芯片代工龍頭臺(tái)積電的3nm制程也終于官宣量產(chǎn)了。
12月29日上午,臺(tái)積電在臺(tái)灣島內(nèi)臺(tái)南科學(xué)園區(qū)舉辦“3nm量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮”,現(xiàn)場(chǎng)露面的除了臺(tái)積電高管,還有臺(tái)灣當(dāng)局“行政院”副院長(zhǎng)沈榮津、經(jīng)濟(jì)部門負(fù)責(zé)人王美花等一眾官員,以及應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體、ASML、東京威力科創(chuàng)等美歐日半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商。
不過(guò)耐人尋味的是,在臺(tái)媒的報(bào)道中并未見到蘋果、高通、英偉達(dá)、AMD等美國(guó)大客戶到場(chǎng)站臺(tái),也讓現(xiàn)場(chǎng)缺了不少“歡呼聲”。就在不久前,庫(kù)克、黃仁勛、蘇姿豐等人曾集體到美國(guó)亞利桑那州為臺(tái)積電的機(jī)臺(tái)移入典禮捧場(chǎng),稱要以“實(shí)際行動(dòng)”支持“美國(guó)制造”。
回溯過(guò)往,臺(tái)積電7nm、5nm等重要節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)時(shí)都頗為低調(diào),此次為何大張旗鼓舉辦典禮?另外,近期半導(dǎo)體市場(chǎng)需求疲軟,而先進(jìn)制程售價(jià)越來(lái)越高、性能升級(jí)逐步放緩,臺(tái)積電3nm制程能吸引來(lái)多少客戶分擔(dān)成本?搶先臺(tái)積電半年量產(chǎn)3nm的三星,現(xiàn)在狀況又如何了?
生產(chǎn)5nm和3nm制程芯片的臺(tái)積電晶圓18廠
罕見舉辦量產(chǎn)典禮,有何意味?
根據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音一早就到達(dá)典禮現(xiàn)場(chǎng)。他透露,3nm制程的良率,已經(jīng)和5nm量產(chǎn)同期的良率相當(dāng),未來(lái)該制程將被應(yīng)用在超算、云計(jì)算、AR、VR等應(yīng)用當(dāng)中。
除了官宣3nm制程量產(chǎn),臺(tái)積電還計(jì)劃在臺(tái)南進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)。劉德音表示,臺(tái)積電在當(dāng)?shù)氐耐顿Y總計(jì)達(dá)1.86萬(wàn)億新臺(tái)幣(約合人民幣4226億元),生產(chǎn)5nm和3nm的晶圓18廠第八期擴(kuò)產(chǎn)即將開始,每期都包含大型潔凈室,且每期都是一般標(biāo)準(zhǔn)邏輯電路工廠的兩倍大。
7nm和5nm量產(chǎn)都沒(méi)有舉行典禮,臺(tái)積電為何要高調(diào)官宣3nm量產(chǎn)?島內(nèi)媒體解讀稱,這一方面是想破除市場(chǎng)對(duì)臺(tái)積電“去臺(tái)化”的擔(dān)憂,臺(tái)積電希望在赴美日建廠之際,顯示出在島內(nèi)持續(xù)投資先進(jìn)制程的意圖;另一方面是想消彌良率不佳的傳言,提振低迷的半導(dǎo)體市場(chǎng)行情。
盡管劉德音稱未來(lái)3nm“需求將非常強(qiáng)勁”,但臺(tái)積電當(dāng)下想說(shuō)服客戶下單3nm并不容易。
臺(tái)積電3nm量產(chǎn)典禮 圖源:臺(tái)媒
首先,上游消費(fèi)電子終端銷售不振,連帶全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)低迷。
以半導(dǎo)體重鎮(zhèn)韓國(guó)的數(shù)據(jù)為例,把11月算上,當(dāng)?shù)匦酒a(chǎn)量已連續(xù)4個(gè)月下滑,年減率高達(dá)15%,降幅創(chuàng)下2009年以來(lái)最高。與此同時(shí),當(dāng)?shù)匦酒瑤?kù)存量呈現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng),11月更同比增長(zhǎng)20%。
另外,先進(jìn)制程的性價(jià)比在持續(xù)降低,外界不斷質(zhì)疑臺(tái)積電和三星在制程命名上玩文字游戲,晶體管密度并不符合摩爾定律的要求。根據(jù)第三方統(tǒng)計(jì),三星3nm制程晶體管密度為1.7億顆/平方毫米,而英特爾7nm工藝(現(xiàn)已改名Intel 4)可達(dá)1.8億顆/平方毫米,可見三星3nm工藝的晶體管密度連英特爾的7nm都不如。
臺(tái)積電、三星、英特爾等廠商不同制程節(jié)點(diǎn)的晶體管密度對(duì)比 圖源:DigiTimes
據(jù)臺(tái)積電透露,相較于5nm制程,3nm制程的邏輯密度將增加約70%,在相同功耗下速度提升10-15%,或者在相同速度下功耗降低25-30%。而上一代5nm相較于7nm,邏輯密度增加高達(dá)1.8倍,相同功耗下速度增快約20%,相同速度下功耗降低約40%。
不難看出,3nm制程帶來(lái)的性能提升幅度,并沒(méi)有5nm那么大,但3nm制程的價(jià)格卻更貴了。島內(nèi)媒體上個(gè)月爆料,臺(tái)積電采用3nm制程的12英寸晶圓片單價(jià)已突破2萬(wàn)美元(約合人民幣14.3萬(wàn)元),相比7nm制程的價(jià)格翻倍,相比5nm制程漲幅也有25%。
臺(tái)積電晶圓代工價(jià)格不斷創(chuàng)新高
價(jià)格的漲幅超過(guò)性能的漲幅,下游廠商會(huì)輕易接受嗎?
- 責(zé)任編輯: 呂棟 
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