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三代10nm制程:美光開(kāi)始量產(chǎn)16Gb DDR4與LPDDR4X內(nèi)存顆粒
關(guān)鍵字:美光周四宣布,該公司一開(kāi)始量產(chǎn)基于第三代 10nm 制程(又稱(chēng) 1z nm)制程的存儲(chǔ)芯片,首批到來(lái)的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件。隨著時(shí)間的推移,該公司還將進(jìn)一步擴(kuò)大其產(chǎn)品組合。與第二代 10nm 工藝相比, 新工藝使得美光能夠提升 DRAM 芯片密度,在增強(qiáng)性能的同時(shí)、降低產(chǎn)品的功耗。
值得一提的是,第三代 10 nm 制程的 16Gb DDR4 器件功耗,較同頻的兩個(gè) 8Gb DDR4 DRAM 還要低 40% 。
至于 16 Gb LPDDR4X IC,美光稱(chēng)其更是提升了 10% 的能效。由于第三代 1Z nm 工藝較第二代 1Y nm 的比特密度更高,該公司可產(chǎn)出性?xún)r(jià)比更高的存儲(chǔ)芯片。
鑒于美光未透露 16 Gb DDR4 DRAM 的速度分檔,我們只能預(yù)計(jì)其符合 JEDEC 的官方指定范圍內(nèi)。
預(yù)計(jì)首批 16 Gb DDR4 DRAM 產(chǎn)品將用于臺(tái)式機(jī)、筆記本、工作站上的高容量(32GB 或更高)內(nèi)存模組。
移動(dòng)存儲(chǔ)器方面,美光 16 Gb LPDDR4X 芯片的傳輸速率可達(dá) 4266 MT/s 。
除了為高端智能機(jī)提供高達(dá) 16 GB(8x16Gb)的 LPDDR4X DRAM 封裝,美光還將提供基于 UFS 的多芯片封裝(uMCP4),將 NAND 用于存儲(chǔ)和 DRAM 。
該公司針對(duì)主流手機(jī)的 uMCP4 系列產(chǎn)品,將包括 3GB RAM + 64GB ROM 至 8GB RAM + 256GB ROM 等產(chǎn)品。
最后,美光沒(méi)有透露其生產(chǎn) 1Z nm 制程 16 Gb DDR4 / LPDDR4X 芯片的工廠(chǎng)。不出意外的話(huà),應(yīng)該會(huì)在日本廣島工廠(chǎng)內(nèi)生產(chǎn)。
與此同時(shí),分析師猜測(cè)該公司會(huì)在臺(tái)中附近的 Micron Memory Taiwan(前 Rexchip Semiconductor)晶圓廠(chǎng)啟用 1Z nm 制程生產(chǎn)線(xiàn)。
- 原標(biāo)題:三代10nm制程:美光開(kāi)始量產(chǎn)16Gb DDR4與LPDDR4X內(nèi)存顆粒
- 責(zé)任編輯:劉響
- 最后更新: 2019-08-17 16:54:18
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