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供需關(guān)系與價(jià)格

自2018年以來(lái)，受各大廠(chǎng)商3DNAND產(chǎn)能釋放影響，大容量NAND價(jià)格一路跳水，跌幅達(dá)50%左右，近乎回到兩年前水平。

供給過(guò)剩是價(jià)格下跌的一方面因素，而另一方面，是因3DNAND技術(shù)的成熟導(dǎo)致TLC型顆粒穩(wěn)定性上升，大容量芯片成本明顯降低導(dǎo)致。

相比之下，SLC、小容量產(chǎn)品價(jià)格跌幅不明顯，原因在于SLC的應(yīng)用場(chǎng)景較特殊，受眾小，客戶(hù)需求相對(duì)穩(wěn)定。

市場(chǎng)目前對(duì)于NAND市場(chǎng)供過(guò)于求表示出強(qiáng)烈的擔(dān)憂(yōu)，但我們認(rèn)為雖然行業(yè)將進(jìn)入下行周期，但這種擔(dān)憂(yōu)可能略微過(guò)度。

從投片情況來(lái)看，2018年全年新擴(kuò)充的產(chǎn)能有限。

根據(jù)IDC的數(shù)據(jù)，到2019年NAND供給只處于略微失衡的狀態(tài)，在3Q18缺口最大，供應(yīng)充足率為3.2%左右。

此外，低價(jià)對(duì)行業(yè)來(lái)說(shuō)不一定全是利空:低價(jià)存儲(chǔ)器本身對(duì)市場(chǎng)需求也能構(gòu)成一定刺激，這也同樣驗(yàn)證了近期在價(jià)格下跌周期內(nèi)，存儲(chǔ)廠(chǎng)商收入因需求擴(kuò)大未見(jiàn)萎縮的邏輯。

三星、東芝/西部數(shù)據(jù)的QLC閃存于2018年下半年已經(jīng)陸續(xù)出樣，樂(lè)觀(guān)來(lái)看，年底可能會(huì)有QLC硬盤(pán)商業(yè)化，但大規(guī)模量產(chǎn)上市應(yīng)該還需到2019年甚至更晚。

等QLC普及后，對(duì)大容量3DNAND存儲(chǔ)價(jià)格仍有一定沖擊。NAND價(jià)格隨著技術(shù)迭代，越來(lái)越便宜是整體趨勢(shì)，但需求擴(kuò)大也會(huì)在一定程度上對(duì)價(jià)格下跌形成抵消。

我們認(rèn)為，到2020年前后，NAND市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)趨于穩(wěn)定。

NOR:近五年來(lái)市場(chǎng)整體萎縮，技術(shù)升級(jí)有望注入新活力

市場(chǎng)規(guī)模及競(jìng)爭(zhēng)格局

2017年NORFlash市場(chǎng)規(guī)模達(dá)23億美元，同比增長(zhǎng)24.8%。過(guò)去五年來(lái)看，整體NORFlash市場(chǎng)呈萎縮趨勢(shì)，原因在于:1)智能手機(jī)逐步替換功能手機(jī)，對(duì)NOR的需求減少;2)部分高容量產(chǎn)品轉(zhuǎn)而由SLCNand取代。

但Nor市場(chǎng)規(guī)模從2016年開(kāi)始相對(duì)穩(wěn)定，終止下跌趨勢(shì)，我們認(rèn)為主要是由于下游新增應(yīng)用需求，來(lái)自:1)智能手機(jī)中TDDI以及AMOLED;2)物聯(lián)網(wǎng);3)汽車(chē)電子。

競(jìng)爭(zhēng)格局上來(lái)看，2017年旺宏在NOR市場(chǎng)的份額位居第一，達(dá)26%左右。

Cypress位列其次，我國(guó)的兆易創(chuàng)新在2017年市占率達(dá)8.2%，排名第五位。而從供給端來(lái)看，因?yàn)槔麧?rùn)率不及其他業(yè)務(wù)原因，Cypress和鎂光都在相繼縮減產(chǎn)能。

Cypress逐步退出中低容量市場(chǎng)，未來(lái)專(zhuān)注于汽車(chē)、工業(yè)控制等應(yīng)用的高容量產(chǎn)品，而鎂光選擇淡出利基型閃存市場(chǎng)，未來(lái)更專(zhuān)注于DRAM和NAND生產(chǎn)。積極擴(kuò)大產(chǎn)能的兆易創(chuàng)新，在未來(lái)有望市占率達(dá)20%，躋身世界前三。

未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

智能手機(jī)中TDDI以及AMOLED滲透率的增加，為NOR帶來(lái)新的市場(chǎng)需求。TDDI是將智能手機(jī)的觸控與顯示驅(qū)動(dòng)集成在一起，整合進(jìn)單一芯片中。

由于TDDI芯片較為復(fù)雜，需要更多的容量來(lái)存儲(chǔ)分位編碼，需要新增一顆NORFlash芯片，因此對(duì)NOR的需求有所增加。

根據(jù)我們的預(yù)估，2018年TDDI滲透率將達(dá)到25%，以對(duì)應(yīng)4-16MB的NORFlash測(cè)算，帶來(lái)7,700萬(wàn)美元的市場(chǎng)容量。

同樣，AMOLED面板的滲透也是另一大動(dòng)因。由于AMOLED面板技術(shù)門(mén)檻較高，目前仍受到亮度均勻性和殘像等技術(shù)制約，良率無(wú)法迅速提升，因此需要進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償。

光學(xué)補(bǔ)償相關(guān)編碼較為復(fù)雜，無(wú)法整合進(jìn)驅(qū)動(dòng)芯片中，因此需要新增一顆NORFlash芯片來(lái)進(jìn)行存儲(chǔ)，iHS預(yù)計(jì)2018年AMOLED滲透率為30.0%，以對(duì)應(yīng)8-32MB的NORFlash測(cè)算，帶來(lái)1.3億美元的市場(chǎng)容量。

中國(guó)的機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn):本土需求強(qiáng)勁，技術(shù)資本開(kāi)支巨大影響前期利潤(rùn)

雖然中國(guó)是全球最大的存儲(chǔ)器消費(fèi)市場(chǎng)之一，但由于過(guò)去產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)薄弱。發(fā)展存儲(chǔ)器需要在專(zhuān)利技術(shù)，人才，資本等多個(gè)方面補(bǔ)齊短板。

目前一般采取的方法是通過(guò)擁有技術(shù)的半導(dǎo)體企業(yè)與有資金的地方政府和半導(dǎo)體大基金合作的形式進(jìn)行推進(jìn)。

中國(guó)主要的存儲(chǔ)器項(xiàng)目包括(1)紫光集團(tuán)與武漢，南京及成都合作展開(kāi)的NAND與DRAM項(xiàng)目。(2)兆易創(chuàng)新與合肥合作的DRAM項(xiàng)目。(3)聯(lián)電與福建省合作的存儲(chǔ)器項(xiàng)目。

技術(shù)差距

DRAM:為了獲得更快的速度與更低的能耗，DRAM隨摩爾定律的發(fā)展一步一步縮小自身尺寸，若采用EUV光刻，制程可微縮至10nm量級(jí)。目前，行業(yè)前三甲三星、SK海力士及鎂光都處于完成1Xnm制程轉(zhuǎn)換或在轉(zhuǎn)換過(guò)程中的階段。具體情況為:

? 三星技術(shù)明顯領(lǐng)先，目前已有較高的1Xnm制程收入占比，并積極推進(jìn)1Ynm制程轉(zhuǎn)入進(jìn)度。平澤廠(chǎng)計(jì)劃于2019年開(kāi)始量產(chǎn)10nmLPDDR5芯片。

? 鎂光方面，原瑞晶部分已于今年二季度實(shí)現(xiàn)到1Xnm的全部轉(zhuǎn)換，并計(jì)劃于明年轉(zhuǎn)向1Znm，而原華亞科部分仍在向1Xnm制程的轉(zhuǎn)換當(dāng)中。

? SK海力士已于2017年開(kāi)始向M14廠(chǎng)一期產(chǎn)線(xiàn)及無(wú)錫廠(chǎng)開(kāi)始導(dǎo)入1Xnm制程，但由于技術(shù)壁壘較高，2018上半年良率不達(dá)預(yù)期，LPDDR4產(chǎn)能仍然有限。

我國(guó)的福建晉華目前僅專(zhuān)注于利基型DRAM的制造，技術(shù)相對(duì)落后，首先導(dǎo)入的產(chǎn)品為25nmDRAM存儲(chǔ)器，制程上大概落后三星3代左右。

合肥長(zhǎng)鑫將從19nm(1X)制程切入市場(chǎng)，我們預(yù)計(jì)2020年可開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)產(chǎn)品。到2019年底，公司產(chǎn)能將達(dá)到2萬(wàn)片/月。大概落后三星2-3年。

NAND:由于平面微縮極限的到來(lái)，NAND存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)向3D結(jié)構(gòu)發(fā)展。

堆疊層數(shù)增多不僅增大容量，更因?yàn)榻^緣材料及空間結(jié)構(gòu)變化解放了TLC技術(shù)的可靠性和壽命問(wèn)題，使QLC成為可能。這一演進(jìn)，大大降低了單位GB成本。

3DNAND方面，目前64層產(chǎn)品已經(jīng)在各大境外廠(chǎng)商中普及，全球3DNAND的出貨量占比已經(jīng)達(dá)到1/4有余。今年7月三星96層TLCV-NAND開(kāi)始量產(chǎn)，在競(jìng)爭(zhēng)中領(lǐng)先將于今年更晚時(shí)間量產(chǎn)96層3DNAND的東芝/西數(shù)和鎂光。

我國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)自主研發(fā)的32層3D-NAND產(chǎn)品將于年底量產(chǎn)出貨，其今年剛發(fā)布了Xtacking技術(shù)，將幫助NAND存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)與DDR4內(nèi)存I/O速度，及更大的堆疊密度，并將用于明年量產(chǎn)的64層3D-NAND產(chǎn)品中。

大體來(lái)看，技術(shù)相媲美的上落后全球大廠(chǎng)3年左右的時(shí)間。

資金投入

存儲(chǔ)器是典型的資本密集型行業(yè)。如我們先前所述，為了獲得制程的領(lǐng)先及規(guī)模帶來(lái)的低成本優(yōu)勢(shì)，各廠(chǎng)商不得不采用IDM模式或虛擬IDM模式來(lái)經(jīng)營(yíng)，并且在適當(dāng)時(shí)點(diǎn)上不遺余力投資。

隨著先進(jìn)制程成本的增加，有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的廠(chǎng)商資本開(kāi)支明顯加大。目前市占率較高的三星、鎂光、SK海力士及東芝在存儲(chǔ)器上的年資本支出均超過(guò)50億美金。

我國(guó)的紫光集團(tuán)(南京+成都+武漢)、合肥睿力及福建晉華的總投資分別達(dá)到780億美元，72億美元及53億美元，數(shù)額巨大。

事實(shí)上中國(guó)巨額的投入也間接促進(jìn)了韓、美兩國(guó)大廠(chǎng)資本開(kāi)支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開(kāi)支就達(dá)到200億美金，因此，我國(guó)廠(chǎng)商的數(shù)字分?jǐn)偟矫磕辏€難以和龍頭廠(chǎng)商相比。

雖然在量產(chǎn)初期，如此巨大的資本開(kāi)支也會(huì)給中國(guó)企業(yè)帶來(lái)不小的折舊壓力，下行周期中技術(shù)、管理略遜的中國(guó)企業(yè)可能必須經(jīng)歷幾年內(nèi)虧損，但若想實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器的國(guó)產(chǎn)替代，這種投入十分必要。