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我國稀貴金屬濺射靶材制備已打破國外壟斷
關(guān)鍵字: 濺射靶材中國半導體高端稀貴金屬靶材【觀察者網(wǎng) 綜合報道】
據(jù)云南省科技廳11月28日消息稱，云南省貴金屬材料重點實驗室研發(fā)團隊在主任胡昌義帶領(lǐng)下，開展電子信息產(chǎn)業(yè)用稀貴金屬濺射靶材的關(guān)鍵制備技術(shù)及工程化應用研究，成功制備鎳鉑（NiPt）、鈷鉻鉑硼（CoCrPtB）等靶材和釕（Ru）、鈷鉻鉑二氧化硅（CoCrPt-SiO2）靶。研發(fā)成果申請專利25件，授權(quán)11件，制定行業(yè)標準1項，發(fā)表論文66篇，榮獲2018年中國有色金屬工業(yè)科技進步一等獎。據(jù)預測，未來5年，世界濺射靶材的市場規(guī)模將超過160億美元。此次我國稀貴金屬濺射靶材制備問世，國內(nèi)濺射靶材企業(yè)的成長空間被打開。
據(jù)觀察者網(wǎng)了解，稀貴金屬薄膜是電子信息產(chǎn)業(yè)起核心支撐作用的戰(zhàn)略性材料。濺射靶材是制備薄膜的關(guān)鍵源材料，主要應用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業(yè)。
目前，在高端稀貴金屬靶材的制備主要集中在日本、美國、德國等國家。國內(nèi)與國際差距集中在濺射靶材上游材料（主要在超高純原材料方面）與服務于集成電路先進制程的新產(chǎn)品兩大領(lǐng)域。
高純NiPt靶材產(chǎn)品 圖丨云南科技廳
針對這一現(xiàn)狀，實驗室團隊采用熔煉及塑性加工法制備了鎳鉑、鈷鉻鉑硼等靶材，采用粉末冶金法制備了釕及鈷鉻鉑二氧化硅靶。開發(fā)了鎳鉑靶微組織擇優(yōu)取向控制技術(shù)、高純釕靶批量制備技術(shù)、脆性靶材的成分控制及缺陷控制技術(shù)、含氧化物靶材的相界面結(jié)合控制技術(shù)。
高純貴金屬NiPt靶材及靶材生產(chǎn)制備 圖丨云南科技廳
通過新技術(shù)的攻關(guān)和應用，實現(xiàn)了靶材產(chǎn)品的主要性能指標靶材度 99.995wt%、靶材主成分偏差0.5wt%以內(nèi)、靶材密度 98.5%、靶材與背板焊合率 98.5％。其中，今年7月鎳鉑靶材研發(fā)成果打破了國外壟斷，使同類產(chǎn)品實現(xiàn)了替代進口，并出口至美國知名半導體公司。
另據(jù)了解，鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。
- 原標題：連續(xù)取得重大突破！我國稀貴金屬濺射靶材制備已打破國外壟斷
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- 責任編輯:連政
- 最后更新: 2018-12-05 17:10:40
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