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（文/觀察者網(wǎng) 呂棟 編輯/張廣凱）

“長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)了對(duì)三星的技術(shù)專(zhuān)利許可，這對(duì)于一直在堅(jiān)持自主研發(fā)的中國(guó)科技企業(yè)而言，無(wú)疑是又一次重大鼓舞?！毙袠I(yè)媒體如此評(píng)價(jià)稱(chēng)。

2月24日，韓國(guó)媒體ZDNet Korea獨(dú)家報(bào)道稱(chēng)，三星電子近日與中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了專(zhuān)利許可協(xié)議，將從后者獲得3D NAND“混合鍵合”專(zhuān)利，該專(zhuān)利是一種將晶圓和晶圓直接鍵合的尖端封裝技術(shù)。

三星電子作為存儲(chǔ)芯片行業(yè)的領(lǐng)頭羊，從中國(guó)企業(yè)獲得專(zhuān)利授權(quán)比較罕見(jiàn)。這家韓媒直言，由于工藝流程問(wèn)題，三星難以規(guī)避中國(guó)企業(yè)的專(zhuān)利，獲取授權(quán)是必然，未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)可能會(huì)非常激烈。

觀察者網(wǎng)就該報(bào)道聯(lián)系長(zhǎng)江存儲(chǔ)方面，對(duì)方暫未置評(píng)。

從韓媒報(bào)道來(lái)看，三星此次獲取長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利授權(quán)，將主要用于下一代（V10）閃存芯片開(kāi)發(fā)上，這代芯片計(jì)劃于今年下半年量產(chǎn)，堆疊層數(shù)將達(dá)到420層-430層。為了讓V10芯片盡快量產(chǎn)，三星引入了多項(xiàng)新技術(shù)，晶圓和晶圓之間的混合鍵合“至關(guān)重要”。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND閃存

三星之所以這么看重這項(xiàng)技術(shù)，是因?yàn)椤盎旌湘I合”技術(shù)省去了傳統(tǒng)芯片連接所需的凸塊，縮短了電路，并提高了存儲(chǔ)性能和散熱特性，“特別是晶圓之間的混合鍵合，它鍵合的是整個(gè)晶圓而不是芯片，在提高生產(chǎn)效率方面也具有優(yōu)勢(shì)”。

與三星相比，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是一個(gè)后起之秀，2016年成立于武漢，至今不到10年。彼時(shí)，存儲(chǔ)芯片行業(yè)已經(jīng)是成熟市場(chǎng)，三星、SK海力士、美光等巨頭占據(jù)了大部分市場(chǎng)份額。對(duì)于后來(lái)者而言，要想長(zhǎng)久發(fā)展，首要目標(biāo)并不是快速搶市場(chǎng)，而是要確保技術(shù)專(zhuān)利的合規(guī)。

如果技術(shù)專(zhuān)利上出了問(wèn)題，甚至被行業(yè)巨頭找上麻煩，將影響企業(yè)的長(zhǎng)期發(fā)展，甚至危及生存，福建晉華和美光的專(zhuān)利侵權(quán)糾紛就是一個(gè)典型例子，一度導(dǎo)致福建晉華的運(yùn)營(yíng)停擺。

也正是提前考慮了這一點(diǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在成立之初獲得國(guó)家大基金投資的同時(shí)，國(guó)家也對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)所從事的3D NAND技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)，進(jìn)行了全面專(zhuān)利預(yù)警工作。

2016年，由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專(zhuān)利分析和預(yù)警領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室組織，專(zhuān)利審查協(xié)作湖北中心骨干力量承擔(dān)的專(zhuān)題《三維NAND型存儲(chǔ)器關(guān)鍵技術(shù)專(zhuān)利分析和預(yù)警》啟動(dòng)，報(bào)告詳細(xì)分析了三維NAND型存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)、全球?qū)＠季智闆r以及主要企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，建議國(guó)內(nèi)企業(yè)建立風(fēng)險(xiǎn)預(yù)警機(jī)制，對(duì)海外存儲(chǔ)寡頭和國(guó)外研究機(jī)構(gòu)的高風(fēng)險(xiǎn)專(zhuān)利保持警覺(jué)，報(bào)告全文共七章、332頁(yè)、19萬(wàn)字。

2017年8月，武漢東湖高新區(qū)管委會(huì)召開(kāi)三維NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)項(xiàng)目報(bào)告會(huì)暨存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)專(zhuān)利導(dǎo)航預(yù)研會(huì)，政府機(jī)構(gòu)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)等相關(guān)負(fù)責(zé)人參加，要求認(rèn)真做好專(zhuān)利預(yù)警和專(zhuān)利布局等專(zhuān)利導(dǎo)航工作。

根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)介紹，2017年10月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)制造了中國(guó)首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主創(chuàng)新Xtacking架構(gòu)的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。2020年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070型號(hào)作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時(shí)業(yè)界最高的I/O速度，最高的存儲(chǔ)密度和最高的單顆容量。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研Xtacking技術(shù)

觀察者網(wǎng)當(dāng)時(shí)（2020年4月）還報(bào)道過(guò)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)96層，成功研發(fā)基于Xtacking 2.0的128層QLC3D NAND閃存，短短3年實(shí)現(xiàn)從32層到64層再到128層的跨越。

從這次韓媒的報(bào)道看，在那個(gè)時(shí)期，長(zhǎng)江存儲(chǔ)就已經(jīng)在積極應(yīng)用3D NAND混合鍵合技術(shù)，并將其命名為“Xtacking”。該公司還在業(yè)務(wù)初期通過(guò)許可協(xié)議，從美國(guó)科技公司Xperi獲得了與混合鍵合相關(guān)的原始專(zhuān)利，長(zhǎng)期積累了大量與NAND鍵合相關(guān)的自有專(zhuān)利。

隨著閃存芯片堆疊層數(shù)進(jìn)入400層，如何保證芯片的性能可靠和生產(chǎn)效率成為難題，三星等存儲(chǔ)巨頭在生產(chǎn)制造中，似乎也不得不使用混合鍵合技術(shù)，也就避不開(kāi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利。

韓媒援引知情人士稱(chēng)，Xperi、長(zhǎng)江存儲(chǔ)和臺(tái)積電這三家公司，實(shí)際上擁有了與混合鍵合相關(guān)的大部分技術(shù)專(zhuān)利，三星電子也是在判斷其在V10、V11和V12等未來(lái)代際的NAND芯片開(kāi)發(fā)中，幾乎不可能避開(kāi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利的情況下，簽訂了許可協(xié)議。

調(diào)研機(jī)構(gòu)TechInsights的崔正東分析稱(chēng)：“從V10開(kāi)始，三星電子開(kāi)始采用三重堆疊技術(shù)，將電路分為三層，并使用混合鍵合技術(shù)，總共使用兩個(gè)晶圓。由于存在許多變化，例如工藝轉(zhuǎn)換和新設(shè)施投資，因此與長(zhǎng)期采用混合鍵合的長(zhǎng)江存儲(chǔ)相比，制造成本必然會(huì)高得多。”

三星電子開(kāi)發(fā)的V9代閃存芯片

存在類(lèi)似情況的還有SK海力士，它跟三星兩家占據(jù)了全球50%以上的閃存市場(chǎng)份額。這家韓國(guó)巨頭計(jì)劃在今年底量產(chǎn)400層NAND閃存，并在明年上半年大規(guī)模生產(chǎn)，該公司高管明確提到，將在400層NAND產(chǎn)品中使用混合鍵合技術(shù)，來(lái)提高成本效率和量產(chǎn)。

在韓媒看來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)在混合鍵合領(lǐng)域的長(zhǎng)期積累，技術(shù)已經(jīng)領(lǐng)先，該公司近期使用“Xtacking 4.x”版本實(shí)現(xiàn)270層高密度NAND的商業(yè)化（SK海力士去年底量產(chǎn)“全球最高”321層NAND閃存）。

“長(zhǎng)江存儲(chǔ)的2yy NAND芯片（預(yù)計(jì)270層），是我們?cè)谑袌?chǎng)上發(fā)現(xiàn)的密度最高的NAND，更重要的是，它是業(yè)內(nèi)第一個(gè)實(shí)現(xiàn)超過(guò)20Gb/mm2位密度的NAND?！盩echInsights在報(bào)告中寫(xiě)道。

截至目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量超過(guò)1萬(wàn)件。正如前文所言，對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)這種新興之秀而言，積累專(zhuān)利不僅是為了推進(jìn)技術(shù)，更為了在專(zhuān)利戰(zhàn)中進(jìn)行防御。

2023年11月8日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以八件專(zhuān)利起訴美光之后，又在2024年7月追加了11件專(zhuān)利的起訴，兩案并案處理。有專(zhuān)利媒體撰文稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)敢于在美國(guó)主動(dòng)起訴美光，開(kāi)創(chuàng)了中國(guó)企業(yè)的先河，也顯示出對(duì)于自主技術(shù)的自信。截至目前，可檢索到的美光已經(jīng)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的20件專(zhuān)利，發(fā)起了22次的無(wú)效挑戰(zhàn)IPR（多方復(fù)審）。不難看出，這種密度的糾紛，也開(kāi)創(chuàng)了中國(guó)企業(yè)和美國(guó)企業(yè)在專(zhuān)利戰(zhàn)場(chǎng)上較量的一個(gè)新紀(jì)錄。

對(duì)于中國(guó)科技創(chuàng)新而言，長(zhǎng)江存儲(chǔ)十年磨一劍的技術(shù)突破無(wú)疑令人振奮。在核心技術(shù)逐步追上甚至領(lǐng)先行業(yè)巨頭之后，如何提升產(chǎn)能也成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的關(guān)鍵問(wèn)題，這對(duì)能否改寫(xiě)行業(yè)格局也至關(guān)重要。

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