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（觀察者網(wǎng)訊 文/呂棟 編輯/尹哲）

繼長鑫存儲年底交付、紫光集團(tuán)布局重慶后，DRAM芯片國產(chǎn)化陣營再有新成員加入。

12月27日，北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司（下稱：兆易創(chuàng)新）透露，該公司最早將于2021年完成其首款DRAM芯片的封裝測試以及客戶驗證，測試成功后將進(jìn)行大批量產(chǎn)。

觀察者網(wǎng)查詢發(fā)現(xiàn)，在此之前的9月30日，兆易創(chuàng)新發(fā)布的《非公開發(fā)行A股股票預(yù)案》（下稱：《預(yù)案》）中介紹：該公司擬募集資金33.2億元用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目。

值得一提的是，長鑫存儲12英寸存儲器晶圓制造基地項目總投資約1500億元，而紫光集團(tuán)未來十年投資在DRAM領(lǐng)域的投資或高達(dá)8000億元。

而上述長鑫存儲項目由兆易創(chuàng)新和合肥產(chǎn)投合作開展。不過，今年9月23日，兆易創(chuàng)新公告稱，該公司當(dāng)時正籌劃的上述募資與長鑫存儲項目無關(guān)，“公司與合肥長鑫等項目實施主體以各自獨立發(fā)展模式運營”。

目前，中國是DRAM芯片的全球最大市場，但三星、海力士、美光等企業(yè)在華占據(jù)主導(dǎo)地位，這也使得DRAM成為我國受外部制約最為嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一。

觀察者網(wǎng)注意到，今年以來，兆易創(chuàng)新股價漲幅近230%。截至12月31日A股收盤，該公司股價報204.89元/股，總市值達(dá)658億元。

DRAM芯片（資料圖）

募資33.2億研發(fā)DRAM

根據(jù)上述《預(yù)案》披露，兆易創(chuàng)新擬向不超過10名特定投資者非公開發(fā)行不超過6422.4萬股（含本數(shù)），募集資金總額（含發(fā)行費用）不超過人民幣43.2億元。其中，本次募集的33.2億元將用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，剩余的10億元將用于補(bǔ)充流動資金。

《預(yù)案》中介紹，兆易創(chuàng)新擬通過上述項目，研發(fā)1Xnm 級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術(shù)，設(shè)計和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

根據(jù)《預(yù)案》，兆易創(chuàng)新已組建由數(shù)十名資深工程師組成的核心研發(fā)團(tuán)隊，涵蓋前端設(shè)計、后端產(chǎn)品測試與驗證，該團(tuán)隊的核心技術(shù)帶頭人員從事DRAM芯片行業(yè)平均超過二十年。

12月27日，在回復(fù)證監(jiān)會反饋意見時，兆易創(chuàng)新透露，其首款DRAM芯片計劃于2020年展開流片試樣，并將于2021年進(jìn)行封裝測試以及完成客戶驗證，測試成功后進(jìn)行大批量產(chǎn)。除此之外，其多系列DRAM產(chǎn)品將在2025年之前陸續(xù)完成研發(fā)及量產(chǎn)。

上述《預(yù)案》指出，截至目前，DDR3、DDR4為最主流、最成熟的DRAM技術(shù)，2019年電子器件工程聯(lián)合委員會（JEDEC）發(fā)布的DDR5技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)討論版，尚在不斷完善更新中。

不同代際的DDR技術(shù)基本參數(shù)

在談及本次募資研發(fā)DRAM芯片的目的時，《預(yù)案》中稱，本次非公開發(fā)行是為發(fā)揮該公司在存儲器領(lǐng)域的優(yōu)勢，實現(xiàn)高技術(shù)產(chǎn)品的進(jìn)口替代，實現(xiàn)高端通用芯片自主可控，助力國家支柱產(chǎn)業(yè)的崛起。

另外，DRAM作為集成電路領(lǐng)域通用芯片，產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化，非常適宜于迅速擴(kuò)張，項目完成后，該公司將掌握DRAM技術(shù)、具備DRAM產(chǎn)品設(shè)計能力，競爭力及行業(yè)地位將得到提升。

《預(yù)案》中還指出，兆易創(chuàng)新的Flash芯片下游客戶與DRAM芯片的下游客戶重合度較高，且大部分客戶應(yīng)用的系統(tǒng)架構(gòu)同時包含F(xiàn)lash及DRAM，因此該公司在Flash領(lǐng)域的設(shè)計經(jīng)驗將對DRAM芯片設(shè)計產(chǎn)生重要的支持作用。

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